次世代半導体製造を目指すラピダス（東京、小池淳義社長）は１８日、千歳市内で建設中の工場に極端紫外線（ＥＵＶ）露光装置を初めて搬入し、設置作業を開始したと発表した。同装置の導入は国内初。新千歳空港で式典を行い、小池社長は「パイロットラインがスタートでき、２０２７年に量産開始するマイルストーン（中間目標）を越える第一歩」と強調した。

　ＥＵＶ露光装置は、オランダのＡＳＭＬ社が世界で唯一製造。特殊な光で半導体の基板に微細な回路を焼き付ける、２ナノメートル（ナノは１０億分の１）半導体量産の実現に不可欠な装置だ。長さ１０・３メートル、幅３・２メートル、高さ３・４メートル、重さ７１トン。ラピダスは同装置を皮切りに、装置や搬送システムを導入し、来年４月の試作ライン稼働に備える。

　式典で小池社長は「北海道、日本から全世界に最先端半導体を届ける確実な第一歩」と強調。昨年９月に着工した工場の建設工事進捗（しんちょく）率が８８％に達し、来年２月にほぼ完成する見通しも示した。

　一方で「２ナノメートルは相当難しい技術で、ライバルも量産に成功していない。これから越えなければならない課題は山ほどある」としつつ、「ＥＵＶ露光装置の導入台数は、能力と性能を確認しながら今後決める」と述べた。

　式典には経済産業省の奥谷敏和大臣官房審議官、新エネルギー・産業技術総合開発機構（ＮＥＤＯ）の横島直彦副理事長、鈴木直道知事、横田隆一千歳市長らが出席した。